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IXFR 102N30P
150
125
Fig. 7. Input Adm ittance
100
90
80
Fig. 8. Trans conductance
100
75
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
125oC
50
25
0
T J = 125oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V GS - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur re nt vs .
Source -To-Drain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Char ge
250
200
150
9
8
7
6
5
4
V DS = 150V
I D = 51A
I G = 10m A
100
50
0
T J = 125oC
T J = 25oC
3
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V SD - V olts
1.2
1.4
0
25
50
75 100 125 150
Q G - nanoCoulombs
175
200
225
Fig. 12. Fo r w ar d -Bias
10000
Fig. 11. Capacitance
C iss
1000
Safe Ope r atin g Ar e a
100
R DS (on) Lim it
25μs
100μs
1000
C oss
10
1m s
10m s
100
f = 1MH z
C rs s
1
T J = 150oC
T C = 25oC
DC
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
1
10
V D S - V olts
100
1000
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
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